SOI（Silicon On Insulator）は、シリコン基板の上に酸化膜などの絶縁層（BOX層）を形成し、その上に薄いシリコン層（デバイス層）を積層した三層構造のウェーハです。当社のSOIウェーハは、CMOSやRF、MEMS、パワー半導体などに対して安定した性能を提供します。
参考規格
| Item | MIN. | MAX. |
| DEVICE LAYER – TOP | ||
| Crystal Growth Method | CZ, FZ | |
| Diameter | 2" | 8" |
| Thickness | 0.05μm | >300μm |
| Tolerance | ±5% | |
| Crystal Orientation | (100), (110), (111) | |
| Type/Dopant | P/Boron, N/Phosphorus, Intrinsic | |
| Resistivity | 0.001Ω・cm | >20000Ω・cm |
| Front Surface | Polished | |
| BURIED OXIDE – BOX LAYER | ||
| Thickness | 0.1μm | 3μm |
| Tolerance | ±5% | |
| HANDLE LAYER | ||
| Crystal Growth Method | CZ, FZ | |
| Diameter | 2" | 8" |
| Thickness | 200μm | 750μm |
| Tolerance | ±5% | |
| Crystal Orientation | (100), (110), (111) | |
| Type/Dopant | P/Boron, N/Phosphorus, Intrinsic | |
| Resistivity | 0.001Ω・cm | >20000Ω・cm |
| Back Surface | Etched or Polished with Oxide | |
| TTV | <5μm | |
| BOW | <20μm | |
＊上記以外の規格に関しましては、お問い合わせください。
事業紹介
