SiCウェーハは、シリコンカーバイド（炭化ケイ素）を材料とした半導体基板で、高い耐熱性・耐電圧性・熱伝導性を持つことが特徴です。主に電気自動車や電力機器などに使用されるパワー半導体の材料として活用されています。
当社では、厳しく品質管理された100mm、150mm、200mmのSiCウェーハを販売しています。
参考規格
| Item | P-MOS Grade | P-SBD Grade |
| Polytype | 4H-SiC | |
| Diameter | 150.0mm +0 / -0.2mm | |
| Conductivity Type | N-type | |
| Off-cut | 4° toward <11-20> ±0.5° | |
| Primary Flat Length | 47.5mm ±1.5mm | |
| Primary Flat Orientation | Parallel to <11-20> ±1.0° | |
| Secondary Flat | None | |
| Thickness | 350±25μm | |
| Resistivity | 0.015–0.025Ω・cm | |
| Other Polytypes | Not Allowed | |
| Micropipe Density | ≤0.1cm⁻² | ≤0.2cm⁻² |
| EPD | ≤3,000cm⁻² | ≤6,000cm⁻² |
| TED | ≤2,000cm⁻² | ≤4,000cm⁻² |
| BPD | ≤1,000cm⁻² | ≤2,000cm⁻² |
| TSD | ≤200cm⁻² | ≤300cm⁻² |
＊上記以外の規格に関しましては、お問い合わせください。
事業紹介
