SiO2（熱酸化膜）とは、シリコンウェーハの表面を高温で酸化させて作る薄い膜です。
電気を通しにくく、半導体の絶縁や表面保護などに使用されます。当社では、高い平滑性を持つSiO2ウェーハを提供しています。
Reference Specifications
| Item | 200MM | 300MM |
| Oxide Thickness | 500±25nm | 500±25nm |
| Oxide Thickness Uniformity (Within Wafer) | < 3％ | < 3％ |
| Oxide Thickness Uniformity (Wafer-to-Wafer) | < 3％ | < 3％ |
| Particle | 0.2μm≦30ea | 0.20μm≤30ea |
| Diameter | 200±0.2mm | 300±0.2mm |
| Type | P | P |
| Crystal Orientation | <100>±1 | <100>±1 |
| Notch Orientation | <110>±1 | <110>±1 |
| Resistivity（Ω・cm） | 1-100 | 1-100 |
| Thickness（μm） | 725±25 | 775±25 |
| TTV（μm） | ≦25 | ≦10 |
| BOW（μm） | ≦40 | ≦40 |
| WARP（μm） | ≦40 | ≦40 |
| Surface Metal Contamination | ≦5.0E10 atom/cm² | <1E10 atom/cm² |
＊上記以外の規格に関しましては、お問い合わせください。
事業紹介
